特許
J-GLOBAL ID：200903023700742844

高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法

発明者：
西 恒寛

西 恒寛 について

, 
金生 剛

金生 剛 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 奥山 尚一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-210437
公開番号（公開出願番号）：特開2003-113213
出願日： 2002年07月19日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
要約：
【要約】【課題】 極めて高い解像性と実用レベルのエッチング耐性を有し、精密な微細加工に有用なレジスト材料、及び該レジスト材料を用いたパターン形成方法、更には該レジスト材料のベース樹脂として有用な高分子化合物を提供する。【解決手段】 下記一般式(1)〜(3)で示される繰り返し単位から選ばれる1種以上と、下記一般式(4)で示される繰り返し単位とを含むことを特徴とする、重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物、及び該高分子化合物を含むレジスト材料を提供する。【化1】
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)〜(3)で示される繰り返し単位から選ばれる1種以上と、下記一般式(4)で示される繰り返し単位とを含むことを特徴とする、重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(上式中、R1、R3、R5、R7は水素原子又はメチル基を示す。R2、R4、R6は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R8、R9は水素原子又は水酸基を示す。R2、R4、R6の結合方向は、それぞれビシクロ[2.2.1]ヘプタン環、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン環、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン環に対してendo-側である。)
IPC (4件)：
C08F220/18 ,  C08F220/28 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
C08F220/18 ,  C08F220/28 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (27件)：
2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CB55 ,  2H025CB56 ,  2H025FA17 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100BA03Q ,  4J100BC07P ,  4J100BC07Q ,  4J100BC08P ,  4J100CA03 ,  4J100CA04 ,  4J100DA01 ,  4J100EA01 ,  4J100JA38
引用特許：
審査官引用 (2件)

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