特許

J-GLOBAL ID：200903023705598571

半導体装置の製造方法

発明者： 清利 正弘 ,  青山 知憲 ,  江口 和弘 ,  今井 馨太郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-238330
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082915
出願日： 1995年09月18日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】リ-ク電流が小さく、誘電率が高い、極薄の高誘電体膜をキャパシタ絶縁膜として使用した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】第1の導電体電極としてのRu膜11上に誘電体膜としてチタン酸バリウムストロンチウム膜12を形成し、チタン酸バリウムストロンチウム膜12の結晶化温度以上の温度で酸素雰囲気中の熱処理を行った後、チタン酸バリウムストロンチウム膜12上に第2の導電体電極として窒化膜チタン膜14を形成する。

請求項（抜粋）：

少なくとも表面がルテニウムを主成分とする第1の導電体電極上に誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜の結晶化温度以上の温度の酸化性雰囲気中で熱処理を行う工程と、前記誘電体膜上に第2の導電体電極を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 誘電体薄膜素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-108628   出願人：シャープ株式会社