特許

J-GLOBAL ID：200903066289364362

誘電体薄膜素子及びその製造方法

発明者： 牛久保 真帆 ,  伊藤 康幸
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-108628
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183397
出願日： 1994年05月23日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：

【要約】【目的】 薄膜化が容易であると共にリーク電流密度が小さく、絶縁耐圧が向上した誘電体薄膜素子の提供。【構成】 少なくとも電極と誘電体薄膜からなる誘電体薄膜素子であって、前記誘電体薄膜が複数の層からなる積層体であり、該積層体が揮発性元素を含む同一種類の元素からなり、前記複数の誘電体薄膜層のうちの少なくとも1層に含まれる揮発性元素の含有量が他の誘電体薄膜層に含まれる揮発性元素の含有量と異なることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

少なくとも電極と誘電体薄膜からなる誘電体薄膜素子であって、前記誘電体薄膜が複数の層からなる積層体であり、該積層体が揮発性元素を含む同一種類の元素からなり、前記複数の誘電体薄膜層のうちの少なくとも1層に含まれる揮発性元素の含有量が他の誘電体薄膜層に含まれる揮発性元素の含有量と異なることを特徴とする誘電体薄膜素子。

IPC (10件)：

H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 37/02 ,  H01L 41/08

FI (4件)：

H01L 27/10 325 J ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 41/08 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 強誘電体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-001444   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 誘電体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-174116   出願人：セイコーエプソン株式会社