金属膜のエッチング方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-211721
公開番号（公開出願番号）：特開2002-053986
出願日： 2000年07月12日
公開日（公表日）： 2002年02月19日
要約：

【要約】【課題】ゲートのチャージングダメージを低減することができる金属膜のエッチング方法を提供する。【解決手段】エッチング装置1によりウェハWの金属膜24をエッチング処理する場合、ウェハWを処理チャンバ2内に搬入して、ウェハステージ3上に載置する。そして、真空ポンプ5により処理チャンバ2内を減圧すると共に、エッチングガスを処理チャンバ2内に導入する。そして、高周波電源13によりウェハステージ3上にバイアス高周波電力を印加すると共に、高周波電源11によりコイルアンテナ9に例えば2MHzの高周波電力を印加し、処理チャンバ2内に高密度プラズマを発生させる。このとき、バイアス高周波電力の周波数を1kHz〜1MHzに設定すると共に、金属膜24とフォトレジスト26との選択比が0.8以上となるようにバイアス高周波電力の出力値を設定する。

請求項（抜粋）：

金属膜の上にマスク材が形成された被処理基板を処理チャンバ内のステージ上に載置し、その状態で前記処理チャンバ内にエッチングガスを供給すると共に、前記処理チャンバ内にプラズマを発生させることによって、前記金属膜をエッチングする金属膜のエッチング方法であって、前記処理チャンバ内にプラズマを発生させる際に、前記ステージに印加する前記高周波電力の周波数を1kHz〜1MHzに設定すると共に、前記金属膜と前記マスク材との選択比が0.8以上となるように前記高周波電力の出力値を設定する金属膜のエッチング方法。

IPC (6件)：

C23F 4/00 , H01L 21/28 , H01L 21/3065 , H01L 21/3213 , H01L 21/3205 , H05H 1/46

FI (6件)：

C23F 4/00 A , H01L 21/28 F , H05H 1/46 L , H01L 21/302 G , H01L 21/88 D , H01L 21/88 N

Fターム (53件)：

4K057DA02 , 4K057DA13 , 4K057DA16 , 4K057DB05 , 4K057DB17 , 4K057DD03 , 4K057DE01 , 4K057DE04 , 4K057DE06 , 4K057DE08 , 4K057DG15 , 4K057DM03 , 4K057DM18 , 4K057DN01 , 4K057DN02 , 4M104BB14 , 4M104DD65 , 4M104FF16 , 4M104HH11 , 5F004AA05 , 5F004AA06 , 5F004BA20 , 5F004BB11 , 5F004CA06 , 5F004CA08 , 5F004CB05 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA04 , 5F004DA05 , 5F004DA11 , 5F004DA13 , 5F004DA15 , 5F004DA16 , 5F004DA29 , 5F004DB09 , 5F004EA01 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH33 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033QQ03 , 5F033QQ04 , 5F033QQ12 , 5F033QQ15 , 5F033QQ28 , 5F033WW00 , 5F033XX00

引用特許：

審査官引用 (2件)

プラズマ装置及びこれを用いたプラズマ処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-106395 出願人：ソニー株式会社
表面加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-290293 出願人：株式会社日立製作所, 日立テクノエンジニアリング株式会社

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