特許
J-GLOBAL ID：200903023734993161
弱く結合されたグレーティングを有する半導体レーザ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大森 純一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-229076
公開番号（公開出願番号）：特開2003-110193
出願日： 2002年08月06日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】サイドモード圧縮比及び単一モード安定性の良い半導体レーザを提案する。【解決手段】 半導体レーザ33であって、半導体基板36と、前記半導体基板上に配置されたレーザ層37と、前記レーザ層に平行に配置された導波路層40及びストライプ状のグレーティング構造体39とからなるものが開示される。前記レーザ層37、導波路層40及びグレーティング構造体39は、前記光とグレーティング構造体39の間に小さな結合のみが存在し、結果として光がより多くの数のグレーティング線と相互作用するように配置されている。
請求項（抜粋）：
光を発生させる半導体レーザであって、半導体基板(11、36)と、前記半導体基板上に配置されたレーザ層(12、37)と、少なくとも一部が前記レーザ層に近接して配置された導波路層(18、40)と、レーザ層に並行に配置されたストライプ状のグレーティング構造体(24、39)とからなり、前記レーザ層、導波路層及びグレーティング構造は、前記光とグレーティング構造体の間に小さな結合のみが存在し、結果として光がより多くの数のグレーティング線と相互作用(Interact)するように配置されていることを特徴とする半導体レーザ。
Fターム (5件)：
5F073AA65
, 5F073CA12
, 5F073DA14
, 5F073DA16
, 5F073DA21
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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引用文献：
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