特許
J-GLOBAL ID：200903058722433495
半導体レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-230682
公開番号（公開出願番号）：特開2001-057456
出願日： 1999年08月17日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：
【要約】【課題】 単一モード発振半導体レーザ装置の設計の自由度を拡大し、素子特性の高性能化を図った半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 単一モード発振半導体レーザ装置の歪多重量子井戸光導波路層の側壁に位置する光閉じ込め層或いは、電流狭窄層には、屈折率が周期的に変化した構造、或いは半導体レーザ装置の利得を周期的に変化させる構造が設けられている。
請求項（抜粋）：
活性層と、当該活性層の側面に形成された光閉じ込め領域または電流狭窄領域とを有し、且つ前記光閉じ込め領域または電流狭窄領域が屈折率が周期的に変化した構造、或いはレーザの利得を周期的に変化した構造を有することを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (3件)：
H01S 5/12
, H01L 21/205
, H01S 5/343
H01S 5/12
, H01L 21/205
, H01S 5/343
5F045AB12
, 5F045AB17
, 5F045AB18
, 5F045AB32
, 5F045AB33
, 5F045AF04
, 5F045AF20
, 5F045CA12
, 5F045DA53
, 5F045DA54
, 5F045DA55
, 5F045HA13
, 5F045HA15
, 5F073AA21
, 5F073AA45
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073BA01
, 5F073CA12
, 5F073CB02
, 5F073CB09
, 5F073DA22
, 5F073EA29
