特許
J-GLOBAL ID：200903023747438337
固体撮像デバイスおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-220937
公開番号（公開出願番号）：特開2007-036118
出願日： 2005年07月29日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：
【課題】セル分離絶縁層の占有面積を増大させることなく、固体撮像デバイスのセル間絶縁特性を向上させる。 【解決手段】半導体基板2に形成されている第1半導体領域3と、第1半導体領域3内の受光面側に形成され、信号電荷を蓄積するための第2半導体領域5と、第1半導体領域3の受光面から基板深さ方向に形成され、内部に絶縁物が充填されているセル分離用のトレンチ溝4と、トレンチ溝4の底部から、さらに基板深さ方向にかけて形成されているセル分離用の第3半導体領域13とを有し、第3半導体領域13は、第2半導体領域5より基板深さ方向に離れ、トレンチ溝4に接して形成されている。 【選択図】図1
請求項（抜粋）：
互いにセル分離された画素セルが撮像領域内で繰り返し配列されている固体撮像デバイスであって、
半導体基板に形成されている第1半導体領域と、
前記第1半導体領域内の受光面側に形成され、信号電荷を蓄積するための第2半導体領域と、
前記第1半導体領域の受光面から基板深さ方向に形成され、内部に絶縁物が充填されているセル分離用のトレンチ溝と、
前記トレンチ溝の底部から、さらに基板深さ方向にかけて形成されているセル分離用の第3半導体領域と、を有し、
前記第3半導体領域は、前記第2半導体領域より基板深さ方向に離れ、前記トレンチ溝に接して形成されている
固体撮像デバイス。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
4M118AA01
, 4M118AA05
, 4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA13
, 4M118BA14
, 4M118EA01
, 4M118EA15
, 4M118EA16
, 4M118EA20
, 4M118FA19
, 4M118FA27
