特許
J-GLOBAL ID:200903023750080770
被膜形成方法
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
安田 敏雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-250757
公開番号(公開出願番号):特開平7-102362
出願日: 1993年10月06日
公開日(公表日): 1995年04月18日
要約:
【要約】【目的】 基材との密着力に優れ、且つ表面粗度に優れた被膜を形成できる被膜形成方法を提供する。【構成】 反応ガス雰囲気中でのアークイオンプレーティング法とイオン注入法とを併用した被膜形成方法において、低圧力条件下でアークイオンプレーティング法とイオン注入法とを同時又は交互に行うイオンミキシング法により被膜形成物質を被着せしめて第1被膜を形成する第1工程;及び前記第1被膜上に、高圧力条件下でのアークイオンプレーティング法により被膜形成物質を被着せしめる第2工程を含む。
請求項(抜粋):
反応ガス雰囲気中でのアークイオンプレーティング法とイオン注入法とを併用した被膜形成方法において、低圧力条件下でアークイオンプレーティング法とイオン注入法とを同時又は交互に行うイオンミキシング法により被膜形成物質を被着せしめて第1被膜を形成する第1工程;及び前記第1被膜上に、高圧力条件下でのアークイオンプレーティング法により被膜形成物質を被着せしめる第2工程を含むことを特徴とする被膜形成方法。
IPC (3件):
C23C 14/22
, C23C 14/48
, H01L 21/203
引用特許:
出願人引用 (3件)
-
膜形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-130909
出願人:日新電機株式会社
-
特開平3-072070
-
特開平4-346655
前のページに戻る