真空処理装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-258168
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097516
出願日： 1997年09月24日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】【課題】残留吸着力の非常に小さなダイポール方式の静電吸着装置を備えた処理装置において、突然の電源遮断時においてもウエハをずれることなく支持し、装置の稼働率の低下を最小限に抑えた処理装置を提供することにある。【解決手段】吸着中のウエハの裏面に導入する伝熱ガス用の配管とウエハが納められた処理室を非通電時に開放するバルブを介して連結し、電源遮断時には伝熱ガスを処理室に逃がし圧力をバランスさせ、ウエハ外周部には誘電膜表面よりも突出するようにガイドを設けて若干のズレが発生した場合にはガイド部分で押さえることにより達成できる。【効果】ウエハ裏面に伝熱ガスを流した状態でウエハの処理をおこなっている最中に、何らかの事故等により電源遮断が発生しても、裏面ガスの圧力によりウエハがずれたり静電吸着装置から落下して破損するような事態を防止することができる。その結果、異常事態から復帰後に容易にウエハを真空処理室から取り出すことができ、装置の稼働率の低下を最小限に抑えることができる。

請求項（抜粋）：

極性の異なる複数の電極を有し、該複数の電極を覆うように誘電膜を備え、該誘電膜表面に半導体ウエハを積載し、前記電極間に電位差を印加し前記半導体ウエハを静電的に吸着保持し、前記誘電膜表面と前記半導体ウエハ間には伝熱ガスを導入し、前記半導体ウエハに処理を施す真空処理装置において、前記伝熱ガスを導入する配管と前記半導体ウエハが納められた処理室を非通電時に開放するバルブを介して連結し、前記半導体ウエハ外周部には誘電膜表面よりも突出するようにガイドを設けたことを特徴とする真空処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/68 , H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/68 R , H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

真空処理方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-098243 出願人：株式会社日立製作所
半導体製造方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-096675 出願人：株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社

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