特許
J-GLOBAL ID：200903023775712169
2構成要素整流接合メモリ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人オカダ・フシミ・ヒラノ
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-541467
公開番号（公開出願番号）：特表2007-535128
出願日： 2004年11月26日
公開日（公表日）： 2007年11月29日
要約：
本発明の実施形態は、低コストで頑強な信頼性のあるWORMメモリにおいて使用される複雑さが低度で、効率的な2構成要素メモリ要素を対象とする。一実施形態のメモリ要素は、ドープ無機半導体層に接合された有機ポリマー層を備える有機オン無機ヘテロ接合ダイオードである。有機ポリマー層は、2層半導体ベース・ダイオードの1層、ならびにヒューズの両方として作用する。WRITE電圧パルスについて閾値時間間隔より長い期間、閾値WRITE電圧より大きい電圧を印加することにより、有機ポリマー層の抵抗率は不可逆的かつ劇的に増大する。本発明の一実施形態を示すメモリ要素は、以前に記述された別々のヒューズおよびダイオード・メモリ要素より容易に製造され、以前に記述されたメモリ要素より小さい電圧において、かつ著しく短い持続時間のWRITE電圧パルスで、切替え可能である望ましい特性を有する。
請求項（抜粋）：
ヒューズおよび半導体の両方として作用する第1構成要素と、
前記第1構成要素と共に、整流接合を形成する第2半導体構成要素とを備える、2構成要素メモリ素子。
IPC (3件)：
H01L 27/10
, H01L 27/28
, H01L 51/05
H01L27/10 431
, H01L27/10 449
, H01L29/28 100B
5F083CR12
, 5F083CR13
, 5F083FZ07
, 5F083JA38
, 5F083JA60
, 5F083PR23
