特許

J-GLOBAL ID：200903023795719070

物質合成方法および物質合成装置

発明者： 藤井 兼栄 ,  堀野 裕治 ,  中田 俊武 ,  高木 俊宜
出願人/特許権者： 工業技術院長 ,  株式会社イオン工学研究所
代理人 (2件)： 工業技術院大阪工業技術研究所長 (外1名) ,  福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-263372
公開番号（公開出願番号）：特開平8-127875
出願日： 1994年10月27日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：

【要約】【目的】 同位体のレベルで組成比を制御しつつ超高純度の物質を合成することができる物質合成方法を提供することである。【構成】 Siの正イオンおよびSiの負イオンをそれぞれ独立に発生させ、Siの正イオンから質量分離により28Si+ を選択し、かつSiの負イオンから質量分離により30Si- を選択する。Si基板1上に28Si+ のイオンビーム3および30Si- のイオンビーム4を同時に照射する。これにより、Si基板1上に28Siおよび30Siからなる混合層2が形成される。

請求項（抜粋）：

第1の元素および第2の元素をそれぞれ正イオンおよび負イオンにイオン化させ、前記第1の元素に属する複数の同位体の正イオンのうちいずれかを質量分離により選択するとともに前記第2の元素に属する複数の同位体の負イオンのうちいずれかを質量分離により選択し、前記選択された同位体の正イオンおよび前記選択された同位体の負イオンを同一の基板上に照射することを特徴とする物質合成方法。

IPC (2件)：

C23C 16/48 ,  H01L 21/203

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭57-013178
  
• 特開昭51-105597
  
• nドープされたシリコン単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-242778   出願人：三菱商事株式会社
• 特開昭56-024924