特許
J-GLOBAL ID：200903023800258990
イオン注入イオン源、システム、および方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山本 秀策
, 安村 高明
, 森下 夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-543753
公開番号（公開出願番号）：特表2004-507861
出願日： 2000年12月13日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：
イオン注入システム用のイオン源(1)は、プロセスガスを生成する蒸発器(2)と、電子ビーム(32)を指向してイオン化封入物(16)内のプロセスガスをイオン化する電子源(12)と、ビームダンプ(11)と、イオン化チャンバ(5)と、イオンビームを取り出す抽出アパーチャ(37)とを含み、本発明の制御システムは、個々の蒸気またはガス分子が、主に該電子銃からの一次電子との衝突によってイオン化され得るように、該一次電子のエネルギーの制御を可能にする制御システムとを含む。
請求項（抜粋）：
工業イオン電流レベルのイオンを、イオン注入器のイオン抽出システムに提供することができるイオン源であって、該イオン源は
イオン化封入物を囲む壁によって規定されたイオン化チャンバであって、該イオン化チャンバの側壁に抽出アパーチャが設けられており、該アパーチャは、該抽出システムによって該イオン化封入物からイオン電流を取り出せるような大きさにされ且つ配置された長さおよび幅を有する、イオン化チャンバと、
幅広ビーム電子銃であって、一次電子を含む指向性ビームを、該イオン化チャンバを介して、該電子銃と整列されたビームダンプに投射するように、該イオン化チャンバに対して構成され、大きさにされ、且つ配置された電子銃であって、該ビームダンプは、該電子ビーム銃のエミッタ電圧に比例する実質的に正の電圧に維持され、該一次電子のビーム通路の軸は、該アパーチャにほぼ隣接する方向に延び、該アパーチャの幅とほぼ同じかまたは該アパーチャの幅よりも大きな該抽出アパーチャの幅の方向に対応する方向の寸法を有し、好適には、デカボラン等の蒸気を該イオン化封入物に導入するように配置された蒸発器、およびガス源から該イオン化封入物にガスを導入するガス通路の両方が設けられた、幅広ビーム電子銃と、
制御システムであって、個々の蒸気またはガス分子が、主に該電子銃からの一次電子との衝突によってイオン化され得るように、該一次電子のエネルギーの制御を可能にする制御システムと、
を含むイオン源。
IPC (4件)：
H01J27/20
, H01J37/08
, H01J37/317
, H01L21/265
H01J27/20
, H01J37/08
, H01J37/317 Z
, H01L21/265 603A
, H01L21/265 T
5C030DD04
, 5C030DE01
, 5C030DE02
, 5C030DE04
, 5C030DE05
, 5C030DE06
, 5C030DE09
, 5C034CC01
, 5C034CC16
, 5C034CC17
, 5C034CD02
