特許
J-GLOBAL ID：200903023821971379
圧力および温度計測用静電容量型センサ、センサ装置およびそれらの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-276781
公開番号（公開出願番号）：特開平11-118644
出願日： 1997年10月09日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：
【要約】【課題】シリコン部材の歪みが小さくみかけの圧力差がでないセンサの製造方法、さらに温度も計測できる高精度な多層の静電容量型センサとその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン部材の厚さより薄い電極部とこれを支持するリングダイヤフラム1dを有する単結晶シリコンからなる第1のシリコン部材1aの両面に、少なくとも前記電極部に対向する薄膜電極2mを有する2枚のセラミック部材2a、2bが低融点ガラス膜を介して陽極接合されてなり、さらにシリコン単結晶からなり平坦な凹部である電極部が形成された第2のシリコン部材1bが、前記セラミック部材に陽極接合されてなる4層構造の静電容量型センサであり、さらにセラミック部材の第2のシリコン部材の電極部とこれに対向する部分に形成された第2の電極薄膜2nとが固定ギャップG3を挟んで第3の静電容量を形成している。
請求項（抜粋）：
シリコン部材の厚さより薄い電極部とこれを支持するリングダイヤフラムを有する単結晶シリコンからなる第1のシリコン部材の両面に、少なくとも前記電極部に対向する薄膜電極を有する2枚のセラミック部材が低融点ガラス膜を介して陽極接合されてなり、電極部と薄膜電極がギャップを挟んで2つの静電容量を形成している少なくとも3層構造を有する圧力および温度計測用静電容量型センサの製造方法において、前記陽極接合は前記第1のシリコン部材と前記2枚のセラミック部材が3層に積層された状態で行われ、かつ全体が均一な温度に加熱されて行われることを特徴とする圧力計測用静電容量型センサの製造方法。
IPC (4件)：
G01L 9/12
, G01K 7/34
, G01L 1/14
, H01L 29/84
G01L 9/12
, G01K 7/34
, G01L 1/14 A
, H01L 29/84 Z
