特許
J-GLOBAL ID:200903023827011466
EL素子
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-094978
公開番号(公開出願番号):特開2000-286055
出願日: 1999年04月01日
公開日(公表日): 2000年10月13日
要約:
【要約】【課題】 従来のEL素子に比べ、低い駆動電圧によって高い輝度が得られるEL素子を提供する。【解決手段】 陽極と、陰極と、前記陽極と陰極との間にEL層とを有してなる、EL素子であって、前記EL層と前記陽極との間に、正孔注入層を有してなり、前記正孔注入層が、イオン化ポテンシャルが5.50eV以下の物質と、イオン化ポテンシャルが5.60eV以上の物質とを少なくとも含有することを特徴とする。
請求項(抜粋):
陽極と、陰極と、前記陽極と陰極との間にEL層とを有してなる、EL素子であって、前記EL層と前記陽極との間に、正孔注入層を有してなり、前記正孔注入層が、イオン化ポテンシャルが5.50eV以下の物質と、イオン化ポテンシャルが5.60eV以上の物質とを少なくとも含有することを特徴とする、EL素子。
IPC (2件):
FI (2件):
H05B 33/22 C
, H05B 33/14 A
Fターム (9件):
3K007AB02
, 3K007AB03
, 3K007AB06
, 3K007CA01
, 3K007CB01
, 3K007DA00
, 3K007DB03
, 3K007EB00
, 3K007FA01
引用特許:
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