低誘電率多孔質膜の作成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小林良平 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-246981
公開番号（公開出願番号）：特開2002-064091
出願日： 2000年08月16日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：

【要約】【課題】半導体集積回路における層間絶縁膜として利用可能な低誘電率の多孔質膜の新たな作成方法を提供する。【解決手段】炭化フッ素系物質を原料ガスとするプラズマ化学蒸着法により基板表面に炭化フッ素系物質分子の膜を形成する。この膜は、一部の分子が結合して成る架橋構造に同構造を構成しない他の分子(未結合分子)が捕らえられた構造を有する。この膜をテトラヒドロフラン等の溶媒で処理することにより膜に含まれる未結合分子を溶解させる。これにより、主として架橋構造から成る多孔質膜が得られる。

請求項（抜粋）：

炭化フッ素系物質を原料ガスとするプラズマ化学蒸着法により該炭化フッ素系物質の膜を基板表面に形成する手順、及び前記基板表面上の膜を所定の溶媒で処理することにより該膜に含まれる未結合分子を該溶媒に溶解させる手順を含むこと特徴とする低誘電率多孔質膜の作成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/312 , C23C 16/32 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/312 A , C23C 16/32 , H01L 21/90 P

Fターム (21件)：

4K030AA04 , 4K030BA24 , 4K030BA36 , 4K030CA04 , 4K030DA08 , 4K030FA03 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F033QQ00 , 5F033RR11 , 5F033RR29 , 5F033SS00 , 5F033SS02 , 5F033SS15 , 5F033XX24 , 5F058AA10 , 5F058AC10 , 5F058AF02 , 5F058AG03 , 5F058AG10 , 5F058AH02

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