特許

J-GLOBAL ID：200903023837490249

化学増幅型レジスト材料及びパターン製造方法

発明者： 畠山 潤 ,  武田 隆信 ,  渡邊 修
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (4件)： 奥山 尚一 ,  有原 幸一 ,  松島 鉄男 ,  河村 英文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-219218
公開番号（公開出願番号）：特開2004-061794
出願日： 2002年07月29日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】従来のポジ型レジスト材料を上回る高解像度、露光余裕度、小さく疎密寸法差、プロセス適応性を有し、露光後のパターン形状が良好であり、さらに優れたエッチング耐性を示すポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料を提供する。【解決手段】クマリン誘導体を重合してなる繰り返し単位を有し、かつ酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する繰り返し単位を含む、重量平均分子量が1,000〜500,000である高分子化合物を含むことを特徴とするレジスト材料を提供する。好ましくは、下記(I)〜(IV)のいずれかの繰り返し単位の組み合わせを含有する。【化1】【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

クマリン誘導体を重合してなる繰り返し単位を有し、かつ酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する繰り返し単位を含む、重量平均分子量が1,000〜500,000である高分子化合物を含むことを特徴とする化学増幅型レジスト材料。

IPC (3件)：

G03F7/039 ,  C08F34/02 ,  H01L21/027

FI (3件)：

G03F7/039 601 ,  C08F34/02 ,  H01L21/30 502R

Fターム (43件)：

2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CB55 ,  2H025CB56 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J100AB07R ,  4J100AL08Q ,  4J100AR32P ,  4J100BA02P ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA03R ,  4J100BA04R ,  4J100BA10P ,  4J100BA11R ,  4J100BA15P ,  4J100BA32P ,  4J100BC02P ,  4J100BC03P ,  4J100BC03Q ,  4J100BC04P ,  4J100BC08P ,  4J100BC08Q ,  4J100BC43P ,  4J100CA03 ,  4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭49-010292
  
• ビニル系重合体及びそれを用いたエレクトロルミネッセンス素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-351512   出願人：城戸淳二, 富士写真フイルム株式会社
• 化学増幅レジスト用コポリマー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-050104   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション