特許
J-GLOBAL ID：200903023843189844
スパッタ法を用いたイオン注入法及びその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
原崎 正
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-047271
公開番号（公開出願番号）：特開2003-247066
出願日： 2002年02月25日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：
【要約】【課題】 スパッタリング効果を利用して簡便な方法で固体イオンを基材の表面に注入して基材表面の表層改質を図り、また所望の第三元素を含んだ炭素膜による基材表面のコーティングを容易にする。【解決手段】 真空容器4にプラズマ発生用原料ガス供給装置8と真空排気装置9とを設け、真空容器4内に、基材2を保持する基材ホルダー5と、基材2表面に対してスパッタターゲット3の表面を非接触状態で放電を生じない間隔にあけてスパッタターゲット3を保持すると共に高周波又は直流電圧の給電によりプラズマ発生源となるスパッタ装置6を配置し、基材2にマイナス電位のパルス電圧を印加する高電圧パルス電源7を設け、スパッタ装置6に高周波又は直流電源を接続した。
請求項（抜粋）：
減圧状態のプラズマ発生用原料ガス中に、基材の表面とスパッタターゲットの表面とを非接触状態で放電を生じない間隔にあけて対面状態に配置し、スパッタターゲットの表面に対して傾斜角度を有してプラズマ雰囲気のイオンを衝突させ、スパッタリング効果を利用してスパッタターゲットの表面から固体イオンを弾き飛ばして放出させ、放出した固体イオンを対面に位置する基材の表面に注入させることを特徴とするスパッタ法を用いたイオン注入法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/48 A
, H05H 1/46 A
4K029BA34
, 4K029CA10
, 4K029CA13
, 4K029CA15
, 4K029DE02
