特許
J-GLOBAL ID：200903023868996744
スイッチング素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
清水 初志
, 新見 浩一
, 刑部 俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-235131
公開番号（公開出願番号）：特開2007-053125
出願日： 2005年08月15日
公開日（公表日）： 2007年03月01日
要約：
【課題】大きく異なる2つの安定した抵抗特性を可逆的かつ反復的に示す、高度集積化した不揮発性メモリへ適用可能なスイッチング素子の提供。【解決手段】2つの電極間に、組成揺らぎを含む単一中心金属元素からなる金属酸化物薄膜が介在した可変抵抗素子を備え、該両電極間に、第1の閾値以上の電圧又は電流と、該第1の閾値の絶対値よりもその絶対値が小さい第2の閾値以下の電圧又は電流と、該第2の閾値の絶対値よりもその絶対値が小さい第3の閾値以下の電圧又は電流とを選択的に印加可能な制御回路と接続し、その絶対値が少なくとも第3の閾値以下の電位域又は電流域における電極間の抵抗特性を可逆的に1000〜10000倍変化せしめることを特徴とする、スイッチング素子。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
2つの電極間に、組成揺らぎを含む単一中心金属元素からなる金属酸化物薄膜が介在した可変抵抗素子を備え、該両電極間に、第1の閾値以上の電圧又は電流と、該第1の閾値の絶対値よりもその絶対値が小さい第2の閾値以下の電圧又は電流と、該第2の閾値の絶対値よりもその絶対値が小さい第3の閾値以下の電圧又は電流とを選択的に印加可能な制御回路と接続し、その絶対値が少なくとも第3の閾値以下の電位域又は電流域における電極間の抵抗特性を可逆的に1000〜10000倍変化せしめることを特徴とする、スイッチング素子。
IPC (4件)：
H01L 49/02
, H01L 27/10
, H01L 45/00
, H01L 49/00
H01L49/02
, H01L27/10 451
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
5F083FZ10
, 5F083GA11
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA60
, 5F083PR04
