半導体厚非接触測定装置およびその測定方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-124636
公開番号（公開出願番号）：特開平7-306018
出願日： 1994年05月13日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：

【要約】【目的】半導体厚の絶対値を非接触で、ノイズに強く、簡潔な構成で測定を可能にする測定装置と測定方法を提供すること。【構成】半導体を透過する光ビーム2が被測定対象の半導体4の目的とする領域に照射されると、一部が表面および底面で反射して干渉した光が反射もしくは透過する。この反射もしくは透過してくる干渉光5を光学的手段3で検出器に導き、所定の範囲で光ビームの波長を変化させる。その際、この干渉光強度の位相(または周期)が半導体厚に依存して変化するので、干渉光の強度変化から演算して半導体厚の絶対値を換算する。厚さが既知の参照用半導体20を用いる場合は、予め光源の波長変化量や波長の絶対値を測定しなくてもよい。加工中の半導体4を非接触で簡便にその厚さをモニタできるので、より正確な厚さを制御でき、半導体製造装置のバラツキを十分抑制でき、品質を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

被測定対象である半導体に対する透過波長領域で、連続的に又は特定波長間領域で発振中心波長を変えて光ビームを放射することができる光源と、前記光ビームを当該半導体の厚さを求めたい測定部分に導いて照射する光学系手段と、前記測定部分から得られる反射光もしくは透過光による信号光を検出する光強度検出手段と、前記信号光の強度を検出しながら前記光源の波長を変化させ、得られた光強度変化の波形から位相変化量を求める信号処理手段と、前記位相変化量を基に、半導体厚の絶対値と信号光強度の位相変化量との関係式から、半導体厚の絶対値を換算して出力する解析手段とを有することを特徴とする半導体厚非接触測定装置。

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開昭61-165608
特開昭55-103404
特開平4-289405

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審査官引用 (9件)

特開昭61-165608
特開昭55-103404
特開平4-289405

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