特許
J-GLOBAL ID：200903023894977561
半導体光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-271330
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106712
出願日： 1993年10月04日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：
【要約】【目的】障壁層に歪を与える構成で且つ組成及び井戸幅の少なくとも一方が異なる複数の井戸層を備えた、良好な性能の偏光無依存な半導体光素子である。【構成】量子井戸構造を活性層4とした半導体レーザ構造を備える半導体光素子である。量子井戸構造が異なる量子準位を有する複数の井戸層と面内応力を受けた複数の障壁層からなる。
請求項（抜粋）：
量子井戸構造を活性層とした半導体レーザ構造を備える半導体光素子において、該量子井戸構造が異なる量子準位を有する複数の井戸層と面内応力を受けた複数の障壁層とからなることを特徴とする半導体光素子。
IPC (2件)：
H01S 3/18
, G02F 1/35 503
