特許
J-GLOBAL ID：200903023905066779

化合物半導体素子の製造方法

発明者：
石崎 順也

石崎 順也 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-154904
公開番号（公開出願番号）：特開2005-340370
出願日： 2004年05月25日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：
【課題】 サファイアやSiC等の異材質基板上にMgZ-nO系酸化物素子層をMOVPE法により高能率かつ高品質にて成長できる化合物半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】 結晶a軸を主表面法線としたサファイア単結晶基板又は結晶c軸を主表面法線としたSiC単結晶基板からなる成長用基板10の主表面上に、MgxZn1-xO(ただし、0≦x≦1)からなるバッファ層11を形成する際に、成長用基板上に分散するMgxZn1-xO微結晶からなる予備バッファ層11Sを、O2ガスをO源ガスとして用いて成長し、次に、MgxZn1-xO微結晶を種結晶として、成長用基板の全面を覆うMgxZn1-xO単結晶からなるバッファ層本体を、酸化窒素をO源ガスとして用いて成長する。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
結晶a軸を主表面法線としたサファイア単結晶基板又は結晶c軸を主表面法線としたSiC単結晶基板からなる成長用基板の主表面上に、MgxZn1-xO(ただし、0≦x≦1)からなるバッファ層をMOVPE法により成長するバッファ層成長工程と、 前記バッファ層上にMgxZn1-xO(ただし、0≦x≦1)からなる素子層をMOVPE法によりエピタキシャル成長する素子層成長工程とを有し、 前記バッファ層成長工程は、前記成長用基板上に分散するMgxZn1-xO微結晶からなる予備バッファ層を、O2ガスをO源ガスとして用いて成長する予備バッファ層成長工程と、前記MgxZn1-xO微結晶を種結晶として、前記成長用基板の全面を覆うMgxZn1-xO単結晶からなるバッファ層本体を、酸化窒素をO源ガスとして用いて成長するバッファ層本体成長工程とを含むことを特徴とする化合物半導体素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L33/00 ,  H01L21/365 ,  H01S5/327
FI (3件)：
H01L33/00 D ,  H01L21/365 ,  H01S5/327
Fターム (29件)：
5F041AA11 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB22 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AF09 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045EE12 ,  5F045EK12 ,  5F045HA06 ,  5F045HA16 ,  5F173AG14 ,  5F173AH31 ,  5F173AH44 ,  5F173AP06 ,  5F173AP62 ,  5F173AQ12 ,  5F173AQ13 ,  5F173AR82
引用特許：
出願人引用 (1件)

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