特許
J-GLOBAL ID：200903023922349830
半導体レーザー
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-248573
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077594
出願日： 1992年08月25日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】 動作電流が低く、製造工程が簡単でしかも電流ストライプ部の幅を高い制御性で決定することができる電流狭窄構造を有する内部ストライプ型の半導体レーザーを実現する。【構成】 p型クラッド層を兼用する光導波層としてのp型Al0.2 Ga0.8 As層6上にエッチングストップ層としてのp型Inx Ga1-x P層7をエピタキシャル成長させ、その上に電流ストップ層としてのn型Al0.3 Ga0.7 As層8をエピタキシャル成長させた後、このn型Al0.3 Ga0.7 As層8にウエットエッチングによりストライプ状の開口8aを形成する。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板上に積層された第一導電型の第一のクラッド層と、上記第一のクラッド層上に積層された活性層と、上記活性層上に積層された第二導電型の第二のクラッド層と、上記第二のクラッド層上に積層されたストライプ状の開口を有する第一導電型の電流ストップ層とを有する内部ストライプ型の半導体レーザーにおいて、上記電流ストップ層が発振されるレーザー光に対して透明な化合物半導体層により形成され、上記第二のクラッド層と上記電流ストップ層との間に上記電流ストップ層よりもエッチング速度が小さいエッチングストップ層が設けられていることを特徴とする半導体レーザー。
引用特許：
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