特許
J-GLOBAL ID:200903023924845878

回路基板の冷却構造及び冷却方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 渡辺 敬介 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-110894
公開番号(公開出願番号):特開2002-314280
出願日: 2001年04月10日
公開日(公表日): 2002年10月25日
要約:
【要約】【課題】【解決手段】セラミックス基板(3)の表面には複数個の回路(2)、裏面には複数個の良熱伝導性突起物(4)が形成され、セラミックス基板の下部がハウジング(5)されている回路基板において、上記ハウジング内に冷媒の流通経路変更機構(7)が設けられてなることを特徴とする回路基板の冷却構造。この回路基板の冷却構造を用い、そのハウジング内に粘性率1.0mPa・s以上の冷媒を供給し、流通経路変更機構(7)によって冷媒が良熱伝導性突起物(4)の下面に衝突するように冷媒の流通経路を変更させて流通させることを特徴とする回路基板の冷却方法。
請求項(抜粋):
セラミックス基板(3)の表面には複数個の回路(2)、裏面には複数個の良熱伝導性突起物(4)が形成され、セラミックス基板の下部がハウジング(5)されている回路基板において、上記ハウジング内に冷媒の流通経路変更機構(7)が設けられてなることを特徴とする回路基板の冷却構造。
IPC (2件):
H05K 7/20 ,  H01L 23/473
FI (2件):
H05K 7/20 N ,  H01L 23/46 Z
Fターム (9件):
5E322AA01 ,  5E322AA03 ,  5E322AA05 ,  5E322AA10 ,  5E322AB11 ,  5E322FA04 ,  5F036AA01 ,  5F036BA05 ,  5F036BB48
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-168923   出願人:株式会社日立製作所
  • 特開平4-256348
  • 特開平4-256348

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