特許
J-GLOBAL ID：200903023924914985
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-028682
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223647
出願日： 1997年02月13日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：
【要約】【課題】半導体層の一部の領域を空乏化させ、その層と垂直方向にキャリアを走行させて機能させる半導体装置において、上記の空乏化領域における空間電荷の影響を低減するとともに、上記の空乏化領域を所望の厚さにすることを可能にして、この半導体装置が本来有するポテンシャルを引き出すこと。【解決手段】上記課題を、上記の空乏化領域内のイオン化可能な不純物を、キャリアが電子の場合にはドナー不純物、キャリアが正孔の場合にはアクセプタ不純物とし、その領域内でのその不純物の濃度分布を、上記の半導体層内における電流密度が所望の値になったときの、その領域内でのそのキャリアの濃度分布に近くなるように設定することによって解決する。
請求項（抜粋）：
半導体層の一部の領域を空乏化させ、該半導体層中を、該半導体層と垂直な方向にキャリアを走行させて機能させる半導体装置において、該領域内のイオン化可能な不純物は、該キャリアが電子の場合にはドナー不純物であり、該キャリアが正孔の場合にはアクセプタ不純物であり、かつ、該領域内での該不純物の濃度分布は、該半導体層内の電流密度が所望の値となったときの、該領域内での該キャリアの濃度分布に近いことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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