ドライエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-234723
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094476
出願日： 1993年09月21日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】 SiON(酸化窒化シリコン)反射防止膜を積層した被エッチング材料層の異方性エッチングを行う。【構成】フルオロカーボン系ガスを用いてドライエッチングした結果テーパー化したSiON反射防止膜6aのパターン・エッジを、希フッ酸溶液処理により少なくともレジスト・マスク7のパターン・エッジの垂直投影位置まで後退させてSiON反射防止膜6bとしてから、下層側のW-ポリサイド膜5をドライエッチングする。【効果】 SiON反射防止膜6bにイオンが垂直入射しなくなるので、この膜からO* がスパッタアウトされず、側壁保護膜8が除去されない。したがって、異方性形状を有するゲート電極5aを寸法変換差を生ずることなく形成できる。

請求項（抜粋）：

酸素を含有する反射防止膜で表面を被覆されてなる被エッチング材料層をレジスト・マスクを介してエッチングするドライエッチング方法において、前記反射防止膜をドライエッチングする第1の工程と、等方的なエッチング条件により、前記反射防止膜のパターン・エッジを少なくとも前記レジスト・マスクのパターン・エッジの垂直投影位置まで後退させる第2の工程と、前記被エッチング材料層をドライエッチングする第3の工程とを有することを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 21/302 J , H01L 21/30 574 , H01L 21/302 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-110846
ドライエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-043783 出願人：ソニー株式会社
特開平2-144916

全件表示

前のページに戻る