プロセス装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-303643
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129709
出願日： 1995年10月27日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】ハロゲン系のガスをプロセス用ガスとして使用する装置において、パーティクル発生を防止する。【解決手段】タングステン(W)の低圧熱CVD装置で、プロセス終了後にウェハをプロセス室11からセンターハンドラ室14、ローダ・アンローダ室16へと移送するにつれて、プロセス用のWF6ガスがローダ・アンローダ室16に導入されるが、ローダ・アンローダ室16のガス雰囲気を質量分析計のハロゲンガス検出器18で分析し、WF6の信号に着目し、バックグラウンドレベルにまで排気されたことを確認してからローダ・アンローダ室16を大気圧に戻し大気に解放し、大気中の水分が入ってきても、ローダ・アンローダ室16にWF6が存在しないのでHFやHClが生成されず装置内壁の腐食を抑制でき、パーティクルの発生を抑制できる。

請求項（抜粋）：

ローダ・アンローダ室を具備し、ハロゲン系のガスをプロセス用原料ガスとする枚葉式プロセス装置において、前記ローダ・アンローダ室にハロゲンガス検出手段を具備し、前記ハロゲンガス検出手段にてハロゲンガス分圧が所定の値以下になったことを検出した後に前記ローダ・アンローダ室を大気に解放してウェハの搬送が行なわれることを特徴とする枚葉式プロセス装置。

IPC (8件)：

H01L 21/68 , B01J 19/00 , B08B 17/02 , H01L 21/02 , H01L 21/205 , H01L 21/3065 , C23C 16/44 , C23F 4/00

FI (8件)：

H01L 21/68 A , B01J 19/00 K , B08B 17/02 , H01L 21/02 D , H01L 21/205 , C23C 16/44 J , C23F 4/00 A , H01L 21/302 N

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体の製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-150668 出願人：日本電気株式会社
特開平2-012914
特開昭58-056336

全件表示

前のページに戻る