薄膜製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石島茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-188233
公開番号（公開出願番号）：特開2002-008994
出願日： 2000年06月22日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：

【要約】【課題】薄膜製造方法に関し、特に、シリコン基板表面にエピタキシャル層を成長させる際に、全ての処理を低温で行うことができる技術を提供する。【解決手段】本発明の薄膜製造方法では、シリコン基板が配置された反応チャンバー12内部を1×10-6Paまで真空排気し、内部の水分や酸素を十分に除去する高真空雰囲気の形成工程後、シランガスと水素ガスとの混合ガスを反応チャンバー12内部に導入して、シリコン基板表面の自然酸化膜や不純物を還元除去する表面処理工程を行っている。このため、シランガスと水素ガスとの混合ガスがシリコン基板表面に十分に到達して、還元除去反応が均一に進行し、従来に比して低温である750°C以下の処理温度でも、十分に自然酸化膜や不純物を除去することができ、全ての処理を従来に比して低温で行うことができるので、従来生じていた高温雰囲気でのオートドーピングや拡散による分布のダレの問題が生じない。

請求項（抜粋）：

シリコン基板が内部に配置された反応チャンバー内部を所定の圧力にする高真空雰囲気の形成工程と、前記反応チャンバー内に処理ガスを導入して、前記シリコン基板の表面にある自然酸化物を少なくとも除去する表面処理工程と、前記表面処理工程が終了したシリコン基板の表面に、薄膜を形成する薄膜形成工程とを有する薄膜製造方法であって、前記高真空雰囲気の形成工程では、前記反応チャンバー内部の圧力を1×10-3Pa以下とし、前記表面処理工程では、真空排気しながらシラン系ガスと水素ガスとの混合ガスを前記反応チャンバー内に導入して、前記反応チャンバー内部の圧力が1Pa未満になるようにし、前記高真空雰囲気の形成工程、前記表面処理工程及び前記薄膜形成工程は、いずれも前記シリコン基板の温度が750°C以下の状態で行われるようにしたことを特徴とする薄膜製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C30B 29/06 504 , C30B 29/52

FI (3件)：

H01L 21/205 , C30B 29/06 504 B , C30B 29/52

Fターム (38件)：

4G077AA03 , 4G077BA01 , 4G077BA04 , 4G077BA10 , 4G077BE08 , 4G077DA11 , 4G077EA01 , 4G077EA03 , 4G077EE03 , 5F045AA07 , 5F045AB02 , 5F045AB40 , 5F045AC01 , 5F045AC19 , 5F045AD03 , 5F045AD04 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AE02 , 5F045AE03 , 5F045AE05 , 5F045AE07 , 5F045AE09 , 5F045AE11 , 5F045AE13 , 5F045AE15 , 5F045AF03 , 5F045BB06 , 5F045BB07 , 5F045DP19 , 5F045DQ05 , 5F045EB13 , 5F045EK06

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体ウエハ製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-092756 出願人：株式会社スーパーシリコン研究所
特公平7-058692
特開平4-132679

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