特許
J-GLOBAL ID：200903023984376800

半導体装置

発明者：
高木 信一

高木 信一 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-283397
公開番号（公開出願番号）：特開2001-160594
出願日： 2000年09月19日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：
【要約】【課題】 相補型電界効果トランジスタを構成するnチャネル電界効果トランジスタ及びpチャネル電界効果トランジスタの双方のゲート電極が同一の材料で構成され且つそれぞれの閾値電圧が十分に低減された半導体装置を提供すること。【解決手段】 nチャネルMOSFET3及びpチャネルMOSFET41を具備し、これらMOSFET3,41がCMOS構造を形成する半導体装置101であって、nチャネルMOSFET3のゲート電極10とpチャネルMOSFET41のゲート電極100とは同一の材料からなり、nチャネルMOSFET3のチャネル領域11の少なくとも一部は引張応力を導入されたSi層8中に形成され、pチャネルMOSFET41のチャネル領域13の少なくとも一部はSiGe層70中に形成され、ゲート電極10、100を構成する材料の仕事関数が、引張応力を導入されたSi層8の伝導帯端と真空準位との間のエネルギー差よりも大きく、且つSiGe層70の価電子帯端と真空準位との間のエネルギー差よりも小さいことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたnチャネル電界効果トランジスタ及びpチャネル電界効果トランジスタとを具備し、前記nチャネル電界効果トランジスタと前記pチャネル電界効果トランジスタとが相補型電界効果トランジスタを構成する半導体装置であって、前記nチャネル電界効果トランジスタのゲート電極と前記pチャネル電界効果トランジスタのゲート電極とは同一の材料からなり、前記nチャネル電界効果トランジスタのチャネル領域はSiを構成元素の一つとし、Siのバルクに比べて、伝導帯端と真空準位との間のエネルギー差がより大きい材料からなり、前記pチャネル電界効果トランジスタのチャネル領域はSiを構成元素の一つとし、Siのバルクに比べて、価電子帯端と真空準位との間のエネルギー差がより小さい材料からなり、前記ゲート電極を構成する材料の仕事関数が、前記nチャネル電界効果トランジスタのチャネル領域を構成する材料の伝導帯端と真空準位との間のエネルギー差よりも大きく、且つ前記pチャネル電界効果トランジスタのチャネル領域を構成する材料の価電子帯端と真空準位との間のエネルギー差よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/786
FI (4件)：
H01L 27/08 321 B ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 618 E
Fターム (39件)：
5F048AA01 ,  5F048AB03 ,  5F048AC03 ,  5F048BA03 ,  5F048BA09 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BC19 ,  5F048BE08 ,  5F048BG07 ,  5F110AA08 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE08 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF22 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG47 ,  5F110GG52 ,  5F110GG60 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ11
引用特許：
審査官引用 (3件)

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