特許

J-GLOBAL ID：200903088893860991

半導体装置及びその製造方法

発明者： 長島 直樹
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-180919
公開番号（公開出願番号）：特開平10-027854
出願日： 1996年07月10日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：

【要約】【課題】単一極性のゲート電極で表面チャネル型のNMOSとPMOSとを構成することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】ゲート絶縁膜23に接するゲート電極として、ゲルマニウムを含有するゲルマニウム電極31を用いる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板表面に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲルマニウムを含有するゲルマニウム電極層とを有するトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 27/08 321 D ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-031203   出願人：日本電気株式会社
• 特開平3-270066
  
• 配線コンタクトの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-188397   出願人：ソニー株式会社