特許
J-GLOBAL ID:200903024017472285

磁性膜およびその形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 服部 毅巖
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-097177
公開番号(公開出願番号):特開2003-297628
出願日: 2002年03月29日
公開日(公表日): 2003年10月17日
要約:
【要約】【課題】 厚膜で高透磁率の磁性膜を効率的に低コストで形成する。【解決手段】 金属磁性体粉末および高電気抵抗粉末を原料粉末14としてミキサ11内に仕込んで混合し、これをチャンバ12内で、ノズル15からエアロゾル化して噴射し、粒子14aを基板20aに固着させる。これにより、基板20a上には、主相が金属磁性体の磁性相で、粒界が高電気抵抗の相であるナノグラニュラー構造の磁性膜が形成される。このとき、原料の高電気抵抗粉末にフェライトを用いれば、主相、粒界がともに磁性体で構成されたナノグラニュラー構造の磁性膜を形成することができ、磁性膜を高透磁率化することができる。この方法では、原料粉末14を噴射して固着させるのみであるため、適当な膜厚の磁性膜を効率的かつ低コストで形成することができる。
請求項(抜粋):
電磁波吸収能を有する磁性膜において、金属磁性体からなる磁性相と、前記磁性相同士を電気的に絶縁するフェライトからなる高電気抵抗相と、を有することを特徴とする磁性膜。
IPC (2件):
H01F 10/12 ,  H01F 41/16
FI (2件):
H01F 10/12 ,  H01F 41/16
Fターム (2件):
5E049BA27 ,  5E049FC10
引用特許:
審査官引用 (4件)
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