特許
J-GLOBAL ID：200903024062920922

電界放出型冷陰極の製造方法

発明者：
吉木 政行

吉木 政行 について

, 
武村 久

武村 久 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： ▲柳▼川 信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-184559
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015012
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：
【要約】【課題】 ゲート、炭素膜のエミッタを有する電界放出型冷陰極において、エミッションしきい値電圧の低い、電流密度の高い電界放出型冷陰極とそれをより簡単なプロセスで作製できる製造方法を提供する。【解決手段】 炭素膜からなるエミッタを先端が先鋭な針状の突起構造とすること、ごく近傍にゲートを形成することによって、エミッタ先端への電界強度が高くなり、更にその微細な針状エミッタをエミッタ領域一面に均一に形成することにより、しきい値電圧を低くし、電流密度を高くすることができる。また、ゲートと炭素膜のエミッタを有する電界放出型冷陰極をフォトリソグラフィプロセス一回のみの使用によって、容易に作製することができる。特に、水素プラズマ処理を用いることにより、ゲート上に堆積したグラファイト系炭素膜の除去とダイアモンド系炭素膜あるいはダイアモンド膜を針状構造にするプロセスを同時に行うことができる。
請求項（抜粋）：
炭素膜のエミッタとそれを取り巻くように形成されたゲート、エミッタとゲートを電気的に絶縁する絶縁膜を有する電界放出型冷陰極の製造方法であって、炭素膜を全面に成長させた後、水素プラズマ処理を用いて、エミッタ成膜の時にゲート上に形成された炭素膜を除去すると同時に、エミッタ表面を針状の突起構造にすることを特徴とする電界放出型冷陰極の製造方法。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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