特許
J-GLOBAL ID：200903024066408169
プラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-190548
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037048
出願日： 1992年07月17日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：
【要約】【目的】 処理すべき試料の表面に対して従来例に比較して均一にかつ安定に高い密度のプラズマを照射することができ、しかも小型・軽量化することができるプラズマ処理装置を提供する。【構成】 内部が真空状態に設定されたプラズマ処理室内でプラズマを発生させて試料に対して所定の処理を行うプラズマ処理装置において、上記プラズマ処理室の内部で、上記試料に向かう方向に直流磁界を発生する磁界発生装置と、上記直流磁界の方向に対して垂直な方向を有するとともに、所定の同一の角速度を有しかつ互いに異なる所定の位相差を有して回転する複数の回転電界を、上記プラズマ処理室の内部で互いに所定の距離だけ離れてそれぞれ発生することによって、上記直流磁界の方向に向かって右回りで旋回する回転電界を発生する複数の電界発生装置とを備えた。
請求項（抜粋）：
内部が真空状態に設定されたプラズマ処理室内でプラズマを発生させて試料に対して所定の処理を行うプラズマ処理装置において、上記プラズマ処理室の内部で、上記試料に向かう方向に直流磁界を発生する磁界発生手段と、上記直流磁界の方向に対して垂直な方向を有するとともに、所定の同一の角速度を有しかつ互いに異なる所定の位相差を有して回転する複数の回転電界を、上記プラズマ処理室の内部で互いに所定の距離だけ離れてそれぞれ発生することによって、上記直流磁界の方向に向かって右回りで旋回する回転電界を発生する複数の電界発生手段とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, C23F 4/00
, H01L 21/31
