特許
J-GLOBAL ID：200903024071967133

ウエハ処理方法及び装置

発明者：
デュ ボワ, デイル, アール.

デュ ボワ, デイル, アール. について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-561649
公開番号（公開出願番号）：特表2002-521816
出願日： 1999年07月21日
公開日（公表日）： 2002年07月16日
要約：
【要約】【課題】 半導体処理システム【解決手段】 本半導体処理システムは、処理チャンバと、処理チャンバの中に延びる回転可能なシャフトと、この処理チャンバのウエハホルダとを有している。回転可能なシャフトは自身の中を通るガス流通路を有する。このウエハホルダは、処理ガス流通路が流れをウエハの面上に向けるように処理チャンバ内の所定の位置でウエハを支えることができる。
請求項（抜粋）：
半導体処理システムであって、 処理チャンバと、 処理チャンバの中に延び、自身の中を通る処理ガス流通路を有する回転可能なシャフトと、 前記処理ガス流通路が流れをウエハの面上に向けるように、ウエハを処理チャンバの所定の位置に支持する前記処理チャンバ内のウエハホルダとを備える半導体処理システム。
IPC (5件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/306
FI (5件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/44 G ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/302 P
Fターム (29件)：
4K030BA29 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA05 ,  4K030GA05 ,  4K030KA23 ,  4K030KA24 ,  4M104BB01 ,  4M104DD44 ,  5F004AA01 ,  5F004BA19 ,  5F004BB17 ,  5F004BB24 ,  5F004BB26 ,  5F004BB27 ,  5F004BB28 ,  5F004BD04 ,  5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045DP05 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF02 ,  5F045EK12 ,  5F045EK13 ,  5F045EM06
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-148938   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
  • 基板処理装置及び基板処理方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-126235   出願人：日立電子エンジニアリング株式会社

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