特許

J-GLOBAL ID：200903024081726371

不揮発性半導体メモリ素子

発明者： 鈴木 英一 ,  関川 敏弘 ,  林 豊
出願人/特許権者： 工業技術院長
代理人 (1件)： 工業技術院電子技術総合研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-095833
公開番号（公開出願番号）：特開平6-318712
出願日： 1987年08月31日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：

【要約】【目的】 一素子で多ビットを記憶でき、かつ、素子占有面積が小さな不揮発性半導体メモリ素子を提供する。【構成】 基板1の主面上に、表面がチャネル形成領域23となっている半導体台状部9を形成する。半導体台状部9の表面上に電荷蓄積部材6を設ける。電荷蓄積部材6をそれぞれ所定の幅W1,W2,W3の各実効電荷蓄積領域に分けるため、それぞれに対応する幅W1,W2,W3の第一、第二、第三ゲート電極51,52,53を設ける。これらゲート電極の中、少なくともいくつか、例えば第一、第二ゲート電極51,52は、半導体台状部9の側面に沿うように設ける。

請求項（抜粋）：

互いに離間したソース、ドレイン間にチャネル形成領域を有する半導体領域と,該チャネル形成領域に対し、絶縁性を保ちながらこれを覆うように設けられ、所定の実効電荷蓄積領域に選択的に電荷を蓄積することにより、上記ソース、ドレイン間の上記チャネル形成領域表面に該実効電荷蓄積領域の平面的な形状に応じた形状、寸法のチャネルを選択的に形成するか、または該チャネルの状態を変える電荷蓄積部材と,を有する電気的に書込み可能な、または電気的に書込み、消去可能な不揮発性半導体メモリ素子であって;上記実効電荷蓄積領域を、上記ソース、ドレイン間を結ぶ方向であるチャネル長方向に対して直交するチャネル幅方向に沿い、互いに独立に複数個設けるようにし;かつ、上記チャネル形成領域を有する半導体領域を、バルク半導体基板の主面上、またはバルク絶縁物基板上に形成された半導体層の主面上にあって、該バルク半導体基板または上記半導体層の主面平面に対して起立した側面を有するように隆起的に形成された半導体台状部の表面領域の少なくとも一部から構成すると共に;上記複数個の実効電荷蓄積領域の中、少なくともそのいくつかは、該半導体台状部の上記起立した側面に沿って設けたこと;を特徴とする不揮発性半導体メモリ素子。

IPC (5件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/00 301 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/12

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434