Bi系酸化物超電導体製造用の仮焼粉

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：和田憲治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-279888
公開番号（公開出願番号）：特開平10-101337
出願日： 1996年10月02日
公開日（公表日）： 1998年04月21日
要約：

【要約】【課題】高い臨界電流密度を有するBi系酸化物超電導体材料を得ることができる仮焼粉を得る。【解決手段】焼結によってBi-2223相のBi系酸化物焼結体を製造するための仮焼粉であって,平均粒径が5μm以下のBi-2212相の結晶と平均粒径が3μm以下の前記の両相以外の相(不純物相と呼ぶ)とからなり,且つその仮焼粉全体の成分組成がBi-2223相の結晶の成分組成と実質的に同じであるBi系酸化物超電導体製造用の仮焼粉。

請求項（抜粋）：

焼結によってBi-2223相のBi系酸化物焼結体を製造するための仮焼粉であって,平均粒径が5μm以下のBi-2212相の結晶と平均粒径が3μm以下の前記の両相以外の相(不純物相と呼ぶ)とからなり,且つその仮焼粉全体の成分組成がBi-2223相の結晶の成分組成と実質的に同じであるBi系酸化物超電導体製造用の仮焼粉。

IPC (3件)：

C01G 29/00 ZAA , C01G 1/00 , C04B 35/45 ZAA

FI (3件)：

C01G 29/00 ZAA , C01G 1/00 S , C04B 35/00 ZAA K

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-237910
特開平4-065344
Bi系酸化物超電導線の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-325630 出願人：昭和電線電纜株式会社

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