特許

J-GLOBAL ID：200903024111240266

不純物拡散法及び半導体装置

発明者： 清田 幸弘 ,  鷲尾 勝由 ,  宿利 章二 ,  中村 徹 ,  稲田 太郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-120302
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315270
出願日： 1992年05月13日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：

【要約】【構成】常圧の水素雰囲気でアニールなどしながら低濃度のB2H6ガスなどを流すことにより、接合を形成する。これによりプロセス中に不純物濃度が変化していくため、浅い接合を形成することができる。この方法を用いてバイポーラトランジスタのエミッタ,ベース,コレクタ領域、あるいはMOSトランジスタのソース,ドレイン領域などを形成する。【効果】半導体表面の不純物濃度が時間と共に増加するので、従来の表面を固溶限に保った拡散法に比べて浅い拡散層を形成することができる。バイポーラトランジスタのベース,エミッタ領域を浅く形成することができるので高速化が図れる。またMOSトランジスタのソース,ドレイン領域を浅く形成することができるので短チャネル効果を抑えることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板に反対導電形の不純物を導入して拡散層を形成する不純物拡散法において、上記基板表面の自然酸化膜を除去してから瞬間加熱によって上記不純物を拡散させ、かつ拡散時間を制御することにより上記基板の表面における不純物濃度を決定することを特徴とする不純物拡散法。

IPC (4件)：

H01L 21/22 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 29/72 ,  H01L 29/78 301 F