半導体の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：西澤利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-020818
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213332
出願日： 1995年02月08日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【構成】 AlGaAs等の半導体の製造装置内に半導体原料(5)(6)以外のAl(7)を配置し、このAl(7)を加熱して酸素もしくは酸化物の捕捉剤とする。【効果】捕捉剤Al等を半導体製造装置内に配置することにより、酸素や酸化物を吸着・吸収し、その結果、高品質の半導体の提供が可能となる。

請求項（抜粋）：

化合物半導体の製造装置内に、半導体構成元素のうちの少くとも1種を、半導体原料用以外として配置し、これを加熱して酸素もしくは酸化物の捕捉剤とすることを特徴とする半導体の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/208 , C30B 29/40 , C30B 29/40 501 , C30B 13/00

引用特許：

審査官引用 (2件)

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