特許
J-GLOBAL ID：200903024121812357
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-309085
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127282
出願日： 1999年10月29日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置に関し、簡単な手段を採ることで、HEMTに於ける2DEGの生成位置を変化させ、高出力化や低歪化などの高特性化を実現すると共に高耐圧化も同時に実現しようとする。【解決手段】 チャネル層28に生成された2DEG36がソース側(ソース電極33側)ではチャネル層28の中心に、且つ、ドレイン側(ドレイン電極34側)ではチャネル層28の中心から下にずれて位置するHEMTを含んでいる。
請求項（抜粋）：
チャネル層に生成された二次元電子ガスがソース側ではチャネル層の中心に、且つ、ドレイン側ではチャネル層の中心から上下何れかにずれて位置するHEMTを含んでなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
5F102FA01
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ05
, 5F102GK05
, 5F102GK06
, 5F102GK08
, 5F102GL09
, 5F102GM06
, 5F102GN05
, 5F102GQ03
, 5F102GQ06
, 5F102GR04
, 5F102GT02
, 5F102HC01
