特許
J-GLOBAL ID：200903069907785063

電界効果トランジスタ

発明者：
鈴木 敏文

鈴木 敏文 について

, 
石川 大和

石川 大和 について


出願人/特許権者：
本田技研工業株式会社

本田技研工業株式会社 について


代理人 (1件)： 下田 容一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-201148
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213594
出願日： 1995年08月07日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【課題】 相互コンダクタンスが高く、かつ、広いゲート電圧範囲で均一な相互コンダクタンスを得ることのできるダブルヘテロ接合構造型の電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 InGaAs(インジウムガリウム砒素)で形成するチャネル層4の膜厚を2次元電子ガス層の厚さと同等(50〜150オングストローム)にする。チャネル層4を中心として上下のワイドバンドギャップ層5,3の組成とこれらの層の不純物濃度を対称にする。
請求項（抜粋）：
InGaAsをチャネル層とし、このチャネル層の上下にヘテロ接合を構成したダブルヘテロ型の電界効果トランジスタにおいて、チャネル層の膜厚をチャネル層内の2次元電子ガス層が実質的に単一となる厚みとし、チャネル層とヘテロ接合を構成する上下のワイドバンドギャップ層の不純物濃度を同一としたことを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/786
FI (2件)：
H01L 29/80 H ,  H01L 29/78 618 F
引用特許：
審査官引用 (5件)
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