特許

J-GLOBAL ID：200903024123078111

半導体集積回路の配線構造およびその製造方法

発明者： 中島 務 ,  林 喜宏
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-322535
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181485
出願日： 1994年12月26日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】【目的】 半導体集積回路の信号配線に印加される隣接配線間のクロストークノイズを低減し、信号を安定して伝達させる。【構成】 絶縁膜3a,3bと第1の導電膜4からなる複合膜に、側壁絶縁膜7付き配線溝6を形成し、さらにかかる配線溝6に第2の導電体8を埋め込んで溝埋め込み配線9を形成することで、配線9の両側に自己整合的シールド層10が形成されている配線構造である。【効果】 自己整合的にシールド層を形成することで、信号配線のレイアウト設計に負担をかけることなく、信号配線間のクロストークノイズを静電遮蔽できる。

請求項（抜粋）：

絶縁膜と第1の導電膜からなる複合膜に形成された側壁絶縁膜付き溝に、第2の導電体を埋め込んで配線を形成することで、第1の導電膜からなり前記配線層よりも薄いシールド層が前記配線の両側に自己整合的に形成されていることを特徴とする半導体集積回路の配線構造。

IPC (2件)：

H05K 9/00 ,  H05K 1/02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-099289
  
• 特公平5-015317
  
• 多層プリント配線板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-279444   出願人：日本電気株式会社