特許

J-GLOBAL ID：200903024137441111

静磁波素子

発明者： 前田 篤志 ,  山野 耕治 ,  梅本 卓史
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 目次 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-312199
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138505
出願日： 1998年11月02日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：

【要約】【課題】 強磁性体2を規則的に配列した不連続膜を静磁波伝搬媒体として用いる静磁波素子において、小型軽量化を図る。【解決手段】 基板1上に強磁性体2を規則的に配列した不連続膜を静磁波伝搬媒体として用い、該不連続膜に所定方向のバイアス磁界Hexを印加する静磁波素子において、強磁性体2の平面形状が、所定方向のバイアス磁界Hexが印加されたときに強磁性体2内で分極を生じにくい形状であることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

基板上に強磁性体を規則的に配列した不連続膜を静磁波を励起し伝搬する媒体として用い、該不連続膜に所定方向のバイアス磁界を印加する静磁波素子において、前記強磁性体の平面形状が、前記所定方向のバイアス磁界が印加されたときに該強磁性体内で分極を生じにくい形状であることを特徴とする静磁波素子。

IPC (2件)：

H01P 1/215 ,  H01F 10/08

FI (2件)：

H01P 1/215 ,  H01F 10/08

Fターム (11件)：

5E049AB06 ,  5E049BA29 ,  5E049CB02 ,  5E049DB04 ,  5E049DB14 ,  5E049MC01 ,  5J006HD04 ,  5J006JA01 ,  5J006KA08 ,  5J006LA21 ,  5J006NA08

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 静磁波装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-324002   出願人：株式会社村田製作所
• 特開昭49-017945