静磁波装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡田全啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-324002
公開番号（公開出願番号）：特開平8-242105
出願日： 1995年11月16日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：

【要約】【課題】小型化および低価格化を図ることができる、静磁波装置を提供する。【解決手段】静磁波装置としてのS/Nエンハンサ10は、フェリ磁性基体としてたとえば矩形板状のYIG薄膜12を含む。このYIG薄膜12は、たとえば矩形板状のGGG基板14の一方主面に形成される。YIG薄膜12およびGGG基板14の周囲には、たとえば導線からなるトランスデューサ16が、たとえば5回巻かれる。したがって、このトランスデューサ16は、YIG薄膜12の一方主面側にほぼ平行に配置される5つの部分とYIG薄膜12の他方主面側にほぼ平行に配置される5つの部分とを有する。トランスデューサ16の一端には、入力端子18の一端が接続され、トランスデューサ16の他端には、出力端子20の一端が接続される。入力端子18の他端および出力端子20の他端は、それぞれ接地される。

請求項（抜粋）：

フェリ磁性基体、前記フェリ磁性基体の一方主面側に配置される部分と前記フェリ磁性基体の他方主面側に配置される部分とを有するトランスデューサ、その一端が前記トランスデューサの一端に接続され、その他端が接地される入力端子、およびその一端が前記トランスデューサの他端に接続され、その他端が接地される出力端子を含む、静磁波装置。

IPC (3件)：

H01P 3/00 , H01P 1/215 , H01P 1/23

FI (3件)：

H01P 3/00 , H01P 1/215 , H01P 1/23

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-123502
特開平2-007612
特開平1-130602

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