特許

J-GLOBAL ID：200903024162714785

赤外発光素子用エピタキシャル基板およびこれを用いた発光素子

発明者： 吉永 敦
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-119653
公開番号（公開出願番号）：特開2000-312025
出願日： 1999年04月27日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：

【要約】【課題】DDH構造の高出力、長寿命のGaAlAs赤外発光ダイオードを作製するためのエピタキシャル基板を提供する。【解決手段】 第1のp型層のドーパントをZn、p型クラッド層およびp型活性層のドーパントをGe、n型クラッド層および第2のn型層のドーパントをTeとし、n型クラッド層および第2のn型層の平均キャリヤ濃度を8×10<SP>17</SP>cm<SP>-3</SP>〜2×10<SP>18</SP>cm<SP>-3</SP>、n型クラッド層厚を60μm以上、第2のn型層中のZn及びGe濃度の和を1×10<SP>17</SP>cm<SP>-3</SP>以下、n型クラッド層と第2のn型層との界面の第2のn型層側へ3μm以内の領域におけるドーパント濃度を3×10<SP>17</SP>cm<SP>-3</SP>以上、n型クラッド層と第2のn型層のAl組成を0<y1<0.35かつ0<y2<0.35とする。

請求項（抜粋）：

p型GaAs単結晶基板上に第1のp型Ga1-x1Alx1As層、p型Ga1-x2Alx2Asクラッド層、発光波長が850〜900nmになるように調整したp型Ga1-x3Alx3As活性層、n型Ga1-y1Aly1Asクラッド層、および第2のn型Ga1-y2Aly2As層を順次エピタキシャル成長させた後、前記p型GaAs単結晶基板を除去することからなる積層基板において、第1のp型層のドーパントがZnであり、かつp型クラッド層及び活性層のドーパントがGeであることを特徴とする赤外発光素子用エピタキシャル基板。

Fターム (12件)：

5F041AA04 ,  5F041AA24 ,  5F041CA04 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA63 ,  5F041CA64 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041FF14

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 発光ダイオード素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-212835   出願人：松下電子工業株式会社
• 特開昭61-222285
  
• 特開平3-234069