特許
J-GLOBAL ID:200903024165059435

光非相反回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 中村 純之助 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-146022
公開番号(公開出願番号):特開2000-338450
出願日: 1999年05月26日
公開日(公表日): 2000年12月08日
要約:
【要約】【課題】 光集積化を容易にし、かつ高性能にする。【解決手段】 ガーネット基板21上に磁気光学材料からなる磁気光学膜22を設け、磁気光学膜22の上部にリブを設けて第1の光導波路23、第2の光導波路24を形成し、光導波路23に第1のポート25および第3のポート27を接続し、光導波路24に第2のポート26および第4のポート28を接続し、TEモードのカットオフβTECをTMモードのカットオフβTMCよりも大きくし、またカットオフβTECをTM導波モード前進波の位相定数βTMFおよびTM導波モード後退波の位相定数βTMBより大きくし、TM導波モード前進波とTE放射モードとの変換係数KF、TM導波モード後退波とTE放射モードとの変換係数KBをほぼKF=0、KB≠0とする。
請求項(抜粋):
第1の光導波路と第2の光導波路とを基板上で平行とし、上記第1、第2の光導波路は少なくともその一部を磁気光学材料で形成し、上記第1の光導波路および上記第2の光導波路では、TEモードのカットオフをTM導波モード前進波の位相定数およびTM導波モード後退波の位相定数よりも大きくし、かつ上記TM導波モード前進波とTE放射モードとの変換係数を上記TM導波モード後退波と上記TE放射モードとの変換係数よりも小さくしたことを特徴とする光非相反回路。
IPC (2件):
G02B 27/28 ,  G02B 6/12
FI (2件):
G02B 27/28 A ,  G02B 6/12 L
Fターム (12件):
2H047KA05 ,  2H047KB04 ,  2H047LA26 ,  2H047NA06 ,  2H047PA04 ,  2H047PA21 ,  2H047PA24 ,  2H047QA01 ,  2H047QA07 ,  2H047TA05 ,  2H099AA01 ,  2H099BA07
引用特許:
出願人引用 (3件)
  • 光非相反回路
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-206328   出願人:日本電信電話株式会社
  • 光導波路型アイソレータ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-158340   出願人:住友金属鉱山株式会社
  • 特許第2565099号

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