特許
J-GLOBAL ID：200903024169709990
β-Ga2O3系単結晶成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-046552
公開番号（公開出願番号）：特開2004-262684
出願日： 2003年02月24日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：
【課題】大型化、高品質化の基板等に加工しても割れを生じにくいβ-f系単結晶成長方法を提供する。【解決手段】赤外線加熱単結晶製造装置1により、種結晶7と多結晶素材9を互いに反対方向に回転させながら加熱し、a軸<100>方位、b軸<010>方位、およびc軸からa軸に向って結晶学的に決する13.7°傾斜し、a軸とのなす角度90°の方位の中から選択する一の方位にβ-Ga2O3単結晶8を成長させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
β-Ga2O3系種結晶を準備し、
前記β-Ga2O3系種結晶から所定の方位にβ-Ga2O3系単結晶を成長させることを特徴とするβ-Ga2O3系単結晶成長方法。
IPC (4件)：
C30B29/16
, C01G15/00
, C30B13/00
, C30B13/34
C30B29/16
, C01G15/00 H
, C30B13/00
, C30B13/34
4G077AA02
, 4G077AB02
, 4G077BB10
, 4G077CE03
, 4G077EA07
, 4G077ED01
, 4G077ED02
, 4G077NA01
, 4G077NA05
