β-Ga2O3系単結晶成長方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：平田忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-046552
公開番号（公開出願番号）：特開2004-262684
出願日： 2003年02月24日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：

【課題】大型化、高品質化の基板等に加工しても割れを生じにくいβ-f系単結晶成長方法を提供する。【解決手段】赤外線加熱単結晶製造装置1により、種結晶7と多結晶素材9を互いに反対方向に回転させながら加熱し、a軸<100>方位、b軸<010>方位、およびc軸からa軸に向って結晶学的に決する13.7°傾斜し、a軸とのなす角度90°の方位の中から選択する一の方位にβ-Ga2O3単結晶8を成長させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

β-Ga2O3系種結晶を準備し、前記β-Ga2O3系種結晶から所定の方位にβ-Ga2O3系単結晶を成長させることを特徴とするβ-Ga2O3系単結晶成長方法。

IPC (4件)：

C30B29/16 , C01G15/00 , C30B13/00 , C30B13/34

FI (4件)：

C30B29/16 , C01G15/00 H , C30B13/00 , C30B13/34

Fターム (9件)：

4G077AA02 , 4G077AB02 , 4G077BB10 , 4G077CE03 , 4G077EA07 , 4G077ED01 , 4G077ED02 , 4G077NA01 , 4G077NA05

引用特許：

審査官引用 (1件)

特開平2-026899

引用文献：

審査官引用 (2件)

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