特許
J-GLOBAL ID：200903024175577094
電界シールド用透明導電膜
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-044548
公開番号（公開出願番号）：特開平6-234552
出願日： 1993年02月09日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：
【要約】【目的】 膜強度,耐候性,透明性,電界シールド性に優れた電界シールド用透明導電膜を提供する。【構成】 2層の積層からなる電界シールド用透明導電膜である。第1層は、ITO分散シリケート膜2であり、ガラス基板1上に成膜され、第2層は、第1層を覆うオーバーコート4である。ITO分散シリケート膜2は、インジウム錫酸化物(ITO)粒子3をシリケートマトリックスに分散させた膜であり、粒径,含有量を特定して透明性を改善し、導電性を調整している。オーバーコート4は、シリケートガラス膜である。その膜厚を規定し、膜強度,耐候性を改善するとともに反射防止の効果を得る。
請求項（抜粋）：
ITO分散シリケート膜とオーバーコートとの2層積層からなり、ITO分散シリケート膜を第1層,オーバーコートを第2層としてガラス基板上に形成する電界シールド用透明導電膜であって、ITO分散シリケート膜は、ITO粒子をシリケートマトリックスに分散させた膜であり、0.07〜0.60μmの膜厚を有し、ITO粒子は、粒径が50nm以下の粒子を粒子体積分率で50%以上含み、膜体積に対するITO粒子の体積は、体積率で35〜95%であり、オーバーコートは、0.08μm以上の厚みの透明なシリケートガラス層であることを特徴とする電界シールド用透明導電膜。
IPC (2件)：
C03C 17/34
, C09K 3/16 101
