特許
J-GLOBAL ID：200903024194644622
半導体集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-321760
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162713
出願日： 1995年12月11日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：
【要約】【課題】 MOSトランジスタのしきい値電圧の絶対値が電源電位に対して大きいのでソースの電位を十分にドレインに伝達できない。【解決手段】 ゲートとバックゲートを接続し、MOSトランジスタのしきい値電圧の絶対値を小くしたMOSトランジスタ213を電源電位応答回路212gの出力ノード212と電源電位ノード211aの間に接続したので電源遮断時にMOSトランジスタ213のドレインであるノード212の電位をMOSトランジスタ213ののソースである接地電位VSSによりちかずけることができる。
請求項（抜粋）：
電源遮断時は接地電位となり、電源投入時は電源電位が与えられる電源電位ノードと第一のノードの間に第一のノードから電源電位ノードへ向けて順方向となるようダイオード接続されかつバックゲートが自らのゲートに接続されたMOSトランジスタを有する放電素子を備えた半導体集積回路。
IPC (5件)：
H03K 17/22
, G05F 3/24
, H01L 21/8234
, H01L 27/06
, H03K 19/0948
H03K 17/22 E
, G05F 3/24 Z
, H01L 27/06 102 F
, H03K 19/094 B
