有機薄膜トランジスタ

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-240449
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258265
出願日： 2002年08月21日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】【課題】トランジスタ特性を上げるためには、電流が流れるチャネル(ソースとドレイン間の距離)を狭くしていくことが必要である。従来は、フォトリソグラフィー技術や電子線リソグラフィー技術など、高度な微細加工技術を適応して、チャネル長を短くすることが行われてきた。これらの手法では、適応する微細加工技術が極めて高度で高価であるため、低価格で高性能な素子を作ることが困難であった。【解決手段】有機薄膜トランジスタの場合、薄膜の厚さは特別な微細加工技術を適応しなくとも極めて薄くできるという点に着目し、この特徴をソース-ドレイン電極間距離の制御に適応すれば、極めて狭いチャネル長を高度な微細加工技術を適応しなくとも創製可能となり、その結果として高い性能を有する有機薄膜トランジスタが簡便に製造できることが判明した。

請求項（抜粋）：

基板上に、ゲート電極、絶縁層、ソース又はドレイン、半導体層及びドレイン又はソースを有する薄膜トランジスタにおいて、該基板上の一部に該ゲート電極を設け、該ゲート電極及び該基板を該絶縁層により覆い、該絶縁層上であって該ゲート電極に対応する領域の一部に該ソース又はドレインを設け、該ソース又はドレイン及び該絶縁層を半導体層により覆い、該半導体層上であって該ソース又はドレインに対応する領域のうち、該ソース又はドレインが該ゲート電極と重なり合っている領域を覆うように該ドレイン又はソースを形成したことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 29/786 , H01L 21/8247 , H01L 27/105 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 51/00

FI (7件)：

H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 616 T , H01L 29/78 616 V , H01L 29/78 617 K , H01L 29/28 , H01L 27/10 444 A , H01L 29/78 371

Fターム (62件)：

5F083FR05 , 5F083FR06 , 5F083HA02 , 5F083JA02 , 5F083JA15 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA60 , 5F083PR22 , 5F083PR23 , 5F101BA62 , 5F101BB08 , 5F101BD16 , 5F101BD30 , 5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110BB05 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF36 , 5F110GG05 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HM02 , 5F110HM03 , 5F110HM12 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN23 , 5F110NN27 , 5F110NN40 , 5F110QQ01

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭60-161672
薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-362320 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
特開昭58-046680

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