特許

J-GLOBAL ID：200903024233509835

金属系膜のエッチング加工方法および磁気記憶装置の製造方法

発明者： 木村 忠之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-176509
公開番号（公開出願番号）：特開2006-004969
出願日： 2004年06月15日
公開日（公表日）： 2006年01月05日
要約：

【課題】エッチングガスに塩素ガスと希ガスとの混合ガスを適切なる流量比で用いることで、残留塩素イオンによる悪影響を抑えてパターン形状が良好となるエッチング加工を可能とする。【解決手段】白金もしくはマンガンを少なくとも含む金属系膜をエッチング加工する金属系膜(例えばPtMn膜113)のエッチング加工方法であって、金属系膜をエッチングする際のドライエッチングに用いるエッチングガスは塩素ガスと希ガスとの混合ガスからなり、混合ガスに対する塩素ガスの流量比は2%以上13%以下とすることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

白金もしくはマンガンを少なくとも含む金属系膜をエッチング加工する金属系膜のエッチング加工方法であって、 前記金属系膜をエッチングする際のドライエッチングに用いるエッチングガスは塩素ガスと希ガスとの混合ガスからなり、 前記混合ガスに対する前記塩素ガスの流量比は2%以上13%以下とする ことを特徴とする金属系膜のエッチング加工方法。

IPC (3件)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 21/306

FI (2件)：

H01L27/10 447 ,  H01L21/302 101C

Fターム (16件)：

5F004AA09 ,  5F004BA20 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004DA04 ,  5F004DA23 ,  5F004DA30 ,  5F004DB08 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA27 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR03

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに磁気メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-396212   出願人：ソニー株式会社
• 磁気メモリ装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-039468   出願人：ソニー株式会社