特許
J-GLOBAL ID：200903065440146953

磁気メモリ装置およびその製造方法

発明者：
元吉 真

元吉 真 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-039468
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243630
出願日： 2002年02月18日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：
【要約】【課題】 TMR素子のトンネル絶縁層が酸化もしくは還元されることを防止して、素子特性の向上、信頼性の向上を図る。【解決手段】 トンネル絶縁層303を強磁性体の磁化固定層302と記憶層304とで挟んでなるTMR素子13を有するものであり、強磁性体のスピン方向が平行もしくは反平行によって抵抗値が変化することを利用して情報を記憶するもので、TMR素子13を間にして立体的に交差するように配置される第1配線の書き込みワード線11および第2配線のビット線12を備え、書き込みワード線11とTMR素子13とは電気的に絶縁され、ビット線12とTMR素子13とは電気的に接続されている不揮発性の磁気メモリ装置1において、TMR素子13の側面は不純物を通さない側壁バリア層16で被覆されているものである。
請求項（抜粋）：
トンネル絶縁層を強磁性体で挟んでなるトンネル磁気抵抗素子を備え、前記強磁性体のスピン方向が平行もしくは反平行によって抵抗値が変化することを利用して情報を記憶するもので、前記トンネル磁気抵抗素子を間にして立体的に交差するように配置される第1配線および第2配線を備え、前記第1配線と前記トンネル磁気抵抗素子とは電気的に絶縁され、前記第2配線と前記トンネル磁気抵抗素子とは電気的に接続されている不揮発性の磁気メモリ装置において、前記トンネル磁気抵抗素子の側面は不純物を通さない側壁バリア層で被覆されていることを特徴とする磁気メモリ装置。
IPC (2件)：
H01L 27/105 ,  H01L 43/08
FI (2件)：
H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447
Fターム (8件)：
5F083FZ10 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083NA01 ,  5F083NA08 ,  5F083PR40
引用特許：
審査官引用 (4件)
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